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Toshiba combine NAND 3D et QLC (MAJ)

Tags : QLC; Toshiba;
Publié le 04/07/2017 à 10:26 par Marc Prieur

Toshiba est le premier à mettre au point une NAND 3D capable de stocker 4 bits par cellule (QLC). La structure 3D de 64 couches est de type BiCS comme toutes les NAND 3D de Toshiba, chaque die fait 96 Go / 768 Gb, une capacité record. En empilant 16 dies dans un simple packaging on atteint 1,5 To ! Toshiba avait déjà évoqué cette mémoire en 2015 puis 2016, elle est actuellement échantillonnée aux fabricants de SSD et de contrôleurs, la date de production en volume n'est pas précisée.

Reste que plus on stock de bits par cellule plus les niveaux de tensions possibles sont nombreux : 2 en SLC, 4 en MLC, 8 en TLC et 16 en QLC. Et plus il y'a de niveaux de tension, plus la programmation de ce niveau doit être précis, ce qui la rallonge et nécessite plusieurs passes d'où une usure supérieure des cellules. Toshiba ne donne malheureusement aucune information de performance ou d'endurance pour cette nouvelle mémoire.

En 2009 déjà, Sandisk qui travaille avec Toshiba sur la Flash avait annoncé la première puce Flash 4 bits par cellule, d'une capacité de 8 Go elle était gravée en 43nm avec une structure planaire bien sûr. Le constructeur l'avait cantonné aux cartes mémoires à l'époque. Cette-fois Toshiba indique viser les SSD, les tablettes et les cartes mémoires.

MAJ : Toshiba a indiqué à AnandTech  que l'endurance de cette puce QLC était de 1000 cycles d'écritures. Un chiffre raisonnable, du niveau de ce que permet la TLC "2D". En 2016, Toshiba évoquait plutôt 500 cycles  pour ce type de mémoire.

1 To par package en 2017 pour Toshiba

Tags : QLC; Samsung; TLC; Toshiba;
Publié le 11/08/2016 à 16:18 par Guillaume Louel / source: EETimes

Toshiba est lui aussi présent au Flash Memory Summit et y va de ses annonces. Il y a quelques semaines, Toshiba annonçait l'échantillonnage des dies NAND 3D 32 Go en 64 couches, avec pour objectif de proposer des dies de 64 Go en 64 couches en 2017.

La firme japonaise confirme cet objectif et indique qu'elle proposera en 2017 des packages de 1 To en reliant 16 de ces dies via des TSV (quelque chose de similaire à l'annonce de Samsung). Toshiba s'attend à doubler la densité de ses dies fin 2018/courant 2019 avec pour but de proposer des packages de 2 To en 2019.

On notera également que Toshiba pense passer à la version 4 du PCI Express en 2019, nos confrères d'EETimes rapportant également que Toshiba aurait désormais des puces NAND 3D en QLC fonctionnelles. Pour rappel, MLC, TLC et QLC indique le nombre de bits stockés dans une cellule (respectivement 2, 3 et 4 pour la QLC donc). Augmenter le nombre de bits permet d'augmenter la densité au détriment de la rapidité de programmation de la cellule.

Toshiba voit la QLC comme une solution aux besoins de stockages "froids" comme ceux de Facebook par exemple qui stockent indéfiniment des données qui ne changent pas. Aucune date n'est cependant avancée pour le moment pour une éventuelle disponibilité.

4 bits par cellule Flash chez Toshiba

Tags : QLC; Toshiba;
Publié le 12/08/2015 à 15:38 par Marc Prieur / source: Custom PC Review

Toshiba a indiqué lors du Flash Memory Summit qu'il travaillait à la mise au point de NAND 3D en technologie BiCS en version MLC, TLC mais aussi QLC, c'est-à-dire avec respectivement 2, 3 et 4 bits stockés dans une cellule. Pour arriver à un tel niveau il faudra une programmation très fine puisque sur le même intervalle il y'aura 16 plages de tension correspondant à 16 états différents (de 0000 à 1111) contre 4 en MLC.

Sandisk, avec lequel Toshiba est partenaire sur la Flash, avait annoncé en 2009 une première puce Flash avec 4 bits par cellule. A l'époque gravée en 43nm elle affichait une capacité record de 8 Go pour un die, mais s'était vu cantonnée à des cartes mémoires. Depuis à notre connaissance Sandisk n'a pas renouvelé l'expérience.

 
 

Il faut dire que la programmation d'une cellule Flash de ce type est plus lente et usera plus la cellule. Toshiba se veut toutefois rassurant en précisant que si on donne à la MLC 15nm actuelle un niveau d'endurance de 1, la TLC 15nm est à 0.5 alors que la BiCS MLC est à 6, la BiCS TLC à 3 et la BiCS QLC à 1.5. D'après le constructeur la NAND 3D avec 4 bits par cellule serait donc plus endurante que la NAND 2D 15nm actuelle avec 2 bits par cellule. Dans le même temps il indique pourtant que la QLC devrait être réservée aux SSD destinés à l'archivage, bien qu'il faille prendre certaines précautions pour cet usage. L'avenir nous dira ce qu'il en est vraiment !

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